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次世代デバイス開発業務【つくば事業所】  /  京セラ

ジョブNo.08-51000925
職種 次世代デバイス開発業務【つくば事業所】
社名 京セラ
業務内容 パワーデバイス半導体の設計、量産立ち上げ、生産プロセス開発に関する設計業務に携わっていただきます。
主に電力変換回路に使用されるパワーデバイスは地球温暖化や震災以降の省エネ化の流れを受け、スイッチングデバイスの低損失化の要求と低コスト化が求められており、その設計難易度が高くなってきています。産機・車載・サーバ向けインバータ素子として魅力あるパワーデバイス半導体の新製品開発で貢献していただきます。
求める経験 【必須要件】
※下記いずれかのご経験をお持ちの方
■基礎的な電気・電子工学の知識がありビジネスレベルの英語力(TOEIC730以上)
■パワー半導体(IGBT/MOSFET/HEMT/ワイドバンドギャップ半導体)設計の実務経験者
勤務地
茨城県つくば市
年収 400万円〜1000万円
雇用形態 正社員

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